化学机械平坦化（CMP）保持环

半导体制程的各个阶段，晶圆表面必须做到平坦（经过平坦化处理）。这样做是为了去除多余的材料，或者为添加下一层电路特征创建一个平坦的基础。为达成此目的，芯片制造商使用一种名为化学机械平坦化（CMP）的工艺。

CMP保持环是在CMP（化学机械抛光）工艺中用于固定晶圆的部件。它的主要作用是将边缘的抛光垫和晶圆以下的抛光垫压平到同一高度，从而解决抛光过程中可能出现的“过磨"问题。同时，研磨液通过保持环上的沟槽输送到抛光垫和晶圆之间的界面，以提高晶圆的去除率均匀性。

为了满足这些要求，CMP保持环需要具有高耐磨、耐腐蚀、低振动、稳定性和高纯净度等特性。保持环材质的选择对CMP工艺的成本、保持环的寿命以及磨损、振动和表面粗糙度等方面都有影响。

常见的CMP保持环材料包括PPS、PEEK、PET-P、PAI等，这些材料经过改性处理，性能更加*。选择适合的材料可以提高CMP保持环的性能，延长其使用寿命，减少工艺成本，确保抛光过程的稳定性和可靠性。